金剛石具有優良的電學性能(néng):超寬的(de)帶隙(xì),超高的(de)擊穿(chuān)場強(qiáng),高電子(zǐ)和空穴遷移率,有(yǒu)望成為“**半導體(tǐ)”;在(zài)聲學上,金剛石在所有材料中具有(yǒu)*高的表麵(miàn)聲波速度和極高的楊氏(shì)模量;在光學上,金剛石可透過從遠紅外到紫外小(xiǎo)於帶隙能量的光子;在熱學上,其導熱性超過銅,因此金剛石具有跨領域應(yīng)用的潛力。表1顯示了金剛石材料的性能與其對應的(de)應用領域。
表1. 金剛石材料的性能
功能金剛(gāng)石的合成
相對於傳統(tǒng)金剛(gāng)石高溫高壓(HPHT)合(hé)成方法(fǎ),功能金剛石主(zhǔ)要采用(常壓(yā))化學氣相(xiàng)沉積(CVD)的方法。CVD金剛石分(fèn)為CVD薄膜(常規金剛石膜、納米(mǐ)金剛石膜,厚度小於50μm)和自支撐(chēng)型厚(hòu)膜(單晶金剛石和多晶金剛石)。按合成技術(shù)分為微波輔助型(MPCVD)、熱絲型和直流型。MPCVD技術是目前主流的合成高質(zhì)量金剛石的方法。不同CVD技術的比較見表2所示。
表(biǎo)2. CVD合成金剛(gāng)石的主(zhǔ)要方法及特點
功能金剛石的應用
1 寶石級的人造金剛石
高溫高壓(HTHP)方法是(shì)製造培育鑽石的主要方法。化學氣(qì)相沉積(CVD)製(zhì)造(zào)培育鑽石方法,近(jìn)三年突飛猛進,成本大幅減低,工藝穩定性取得明顯進展,已量產並工業批量投放(fàng)市場(chǎng)。
2 金剛石半導體
金剛石被認為(wéi)是(shì)製備下一代高功率、高頻、高(gāo)溫及低功率損耗電子器件*有希(xī)望的材(cái)料,被業界譽為“**半導體”。金剛石為間接帶隙半導(dǎo)體(tǐ)材料,禁(jìn)帶(dài)寬度約(yuē)為5.5eV,熱導率高達22W/(cm·K)。室溫(wēn)電子和空穴遷移率(lǜ)高達4500cm²/(v·S)和3800cm²/(v·S),遠高於第三代半導體材料GaN和SiC。另外,由於金剛石具有很大的激子束縛能(約80meV),使其在室溫下可實現高強(qiáng)度的自由激子發射(shè)(發光波長(zhǎng)約為(wéi)235nm),在製備大功率深紫外(wài)發光二極管方麵具有很大的潛力,在極紫外深(shēn)紫(zǐ)外和高能粒子探測器的研製中也發揮著重要作用。另外,對於單晶金剛石襯底材(cái)料的生長,還要有高的生長速率以及大的晶體尺寸,同時(shí)要(yào)實現金(jīn)剛石的半導體功能需要對其進行有效的摻雜,使其具備良好(hǎo)的n型或p型導電性質。
可以展(zhǎn)望,隨著(zhe)金剛石半導體技術的不斷發展,未來必將突破n型摻雜技術、大(dà)尺寸高質量單晶製備及(jí)高平整度、高均勻性材料外延技術等瓶頸(jǐng)問(wèn)題(tí),實現更(gèng)高(gāo)功率(lǜ)性能的金剛石電子器件(jiàn),從而為消費者創(chuàng)造更快、更輕、更簡單的設備。金剛石半導體器件比矽芯片更便宜、更(gèng)薄,基於金剛石的電子產品很可能成為高能效電子(zǐ)產品的行業標準,其將對一些高新行業和****產品產生(shēng)顯著影響,包括更快的超(chāo)級計算機、先進的(de)雷達和電信係統、超高效混合(hé)動力汽車、極端環境中(zhōng)的電子(zǐ)設備以及下一代(dài)航空航天電子設備等。
3 金剛石的熱學應用
金剛石具(jù)有目前所知的天然(rán)物質中*高的熱導率(2200W/(m·K)),比碳化矽(SiC)大4倍,比矽(Si)大13倍,比砷化稼(GaAs)大43倍,是(shì)銅和銀的4~5倍,低的熱膨脹係數(0.8×10^-6~1.5×10^-6K^-1)和高的(de)彈性模量等優良性能。是一種(zhǒng)具(jù)有良好前景的優異的電子封裝材料。典型的應用有金(jīn)剛石增強金屬封裝材料(Dianmond/Cu、Diamond/Al)和(hé)熱沉-金剛石(shí)襯底GaN器件等。金(jīn)剛石增強金屬基(jī)封裝材料已經商用,其熱導率已可達到 350~ 600W / (m·K),隨著人造金剛石價格大幅降低,單位體積金剛石顆(kē)粒的價格已接近甚至(zhì)低於W、Mo等難熔金屬的價格,為大規模生產創造了必備的條件。
極高的導熱係數與電絕緣(yuán)相結合,使得金剛石成為許(xǔ)多高功率密度設備的**散熱器。激光二極管結處散熱就是CVD金剛石的*早應用之一。*近(jìn),在晶圓數(shù)量(liàng)級(jí)上,CVD金剛石與GaN的集(jí)成已經成(chéng)為可能(néng),這(zhè)種集成允許在無線(xiàn)電頻率下(xià)實現更高的功率(lǜ)密度。
4 光學應用
理想的電力傳輸窗口將具有(yǒu):
(a)非常低的總吸收(窗口和塗層的吸收係數×窗口厚度。
(b)低熱(rè)膨脹係數(幾何形狀隨溫度的變化較小)。
(c)高導熱率(將熱(rè)量從加熱(rè)物體中散開的(de)能力)。
(d)高強度和楊氏模量(允許使用更薄的窗口)。
(e)折射率(lǜ)隨溫度變化小。
金剛石幾乎全部滿足上述要求,多晶金剛石在光學窗口方麵有許多應用場景,部分已產業化。
除了光學窗口外,多晶金剛石還具有裝飾作用,金剛石的(de)塗層不僅具有(yǒu)閃光效果還有多種顏色。用於高端鍾表的製造,奢侈品的裝飾(shì)性塗層以及直(zhí)接作為時尚製品。金(jīn)剛石其強度和硬(yìng)度是康寧(níng)玻璃的6倍和(hé)10倍,因此也被應用於手機顯(xiǎn)示屏和照相機鏡(jìng)頭。
5 金剛石聲學器件
金剛(gāng)石密度低,楊氏模量和(hé)強度高,這使得它成為一種高性能的高頻聲材料。
金剛石,可以在高達70kHz的頻率下保(bǎo)持完美的振動運動而(ér)不失真,從而提供幾乎完美的聲音再現。此外金(jīn)剛石還具有*高的聲表(biǎo)麵波速,是用(yòng)於聲表麵(miàn)波濾(lǜ)波器的**材料,能夠提高濾波(bō)頻率和功率承受能力。
6 摻硼金剛石(BDD)電極
研究表明BDD是一種環保新型(xíng)電極材料(liào),作為陽(yáng)極的電化學法對染料、農藥、抗生素、內分泌幹擾物等多種難(nán)降解的有機汙染物、大分子物質等(děng)都表現出了很(hěn)好的去除(chú)效果,幾乎都可(kě)實現完全(quán)礦化,是一種環境友好(hǎo)型的汙染治理方法,因而得到了越來越多的關注(zhù)。
采用摻(chān)硼金剛石(shí)(BDD)作為電極的電化學氧(yǎng)化法,利用在水中產生具有強氧化性能的羥(qiǎng)基自由(yóu)基(·OH),能快速高效地(dì)降解汙(wū)水中(zhōng)的有機物,這類電極(jí)具有(yǒu)*寬(kuān)的電化學窗口、極高的析氧電位、極好的化學穩定性,可在強酸、強堿(jiǎn)、高鹽環境中長時間(jiān)連續運行,有望成為*具潛力(lì)有(yǒu)機廢水處理技術。
7 金剛石量子技術的應用
金剛石量子技術為21世紀的兩(liǎng)個關鍵問題提供了(le)潛在(zài)的解決方案:生物醫學和持續增(zēng)長的信息經濟。金剛石有能(néng)力將缺陷變成量子資源,這(zhè)種缺陷是(shì)特定的,即氮空位缺陷(NV),其獨特的性質使其量子態可以在室溫下使用光來操縱和讀出。在基於量子的應用中,人造金剛石充當雜質或缺陷的主體,像固態原子陷(xiàn)阱一樣起作用。這些雜質(zhì)的量子特性,例如氮空位缺陷,可以單獨操作並使(shǐ)其相互作用,並且(qiě)從這些雜質發出的光的光子可以用於讀出(chū)它們的量子信息。
由於金剛(gāng)石具有廣闊的應用前景、化(huà)學惰性、機械硬度、表麵改性能力、可調導電性和生物相(xiàng)容性等優點,金剛石作為醫療器(qì)械與(yǔ)人體之間的界麵(miàn)被廣泛研究(jiū)。金剛石塗層已被考慮用於各種醫療設備的應用,包括保護塗層、生物界麵和生物傳感器。大尺寸(cùn)的單晶(jīng)/多晶金剛石可以(yǐ)製成鋒利的刀片。納米金剛石根據其特性可以用作運輸藥物和具有(yǒu)標記特性(xìng)的靶向材料。
8 納米金剛石潤滑油
納米金剛石具有較大的表麵積,且表麵有著(zhe)豐富的官能團,這些特性使其表麵具有特殊的吸附性(xìng),易於發生化學反應,故經過處理的球形納米金剛(gāng)石在潤滑油中有著良(liáng)好的分散性(xìng)。近年來,大量(liàng)的實驗表明,在(zài)潤滑(huá)油(yóu)中加入千分之一的球形(xíng)納米金剛石就(jiù)能有效地提高潤滑油的抗磨減震效(xiào)果,而且可以廣泛應用於各種(zhǒng)機械(xiè)結構中。
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